宽禁带半导体的高性能的充分应用很大程度上依赖于封装技术以及封装材料的选用。随着禁铅令在全球的推广,人们发现烧结银技术是理想的可替代成为高温应用的芯片焊接技术之一。然而,银膏制备及保存成本、工艺可靠性等一系列问题成为了限制银烧结技术大范围推广应用的一大障碍。鉴于此,本文主要对烧结银中的材料制备、烧结工艺优化、银烧结中颗粒扩散的微观机理等进行研究,以优化烧结银膏配方为核心,降低材料成本,为助力推广烧结银技术在宽禁带半导体中的大规模应用提供有利参考依据。本文中主要的研究成果如下:（1）在纳米银颗粒的制备实验中,通过使用不同的还原剂与硝酸银进行反应,在不同的还原速率下,所生成的颗粒粒径也会有所不同。（2）为了验证银膏烧结的可行性,采用了一种传统的真空回流系统进行无压烧结以抑制孔洞的生成。结果表明,真空室压力对银烧结层在干燥过程中烧结空洞缺陷的形成有明显影响。这种烧结方法不仅可以实现无孔洞烧结,而且可以很好地避免其他的封装组件的氧化问题。（3）基于分子动力学,研究采用随机算法建立了模拟银膏初始涂层形貌的模型,并分析了不同粒径的颗粒对烧结孔隙率的影响。结果表明,与使用大尺寸银颗粒的烧结工艺相比,在相同的烧结条件下,使用多尺度银颗粒的烧结工艺将提高致密化程度,这从理论上验证了在大尺寸银颗粒中添加小尺寸银颗粒的可行性。（4）基于以上对烧结多尺度颗粒的实验与理论结果,为了进一步研究异构银膏对烧结致密的影响,对片-颗粒银的烧结致密进行研究。结果表明,片银中添加纳米颗粒能够对烧结致密有帮助,而微米颗粒中适当添加片银有助于其烧结的致密化。本文从颗粒制备、到银膏中的成本配比微观机理研究、再到工艺设定等从多个层面入手对烧结银技术进行研究,以求得到一个更优的烧结方案与银膏配方指导方案,为烧结银技术得到广泛应用提供一定商业参考价值。