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本文设计的10位逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)ADC10A是北京美新华微电子技术有限公司基于CSMC 0.5μm N—well CMOS DPTM(Double Poly Triple Metal,双层多晶三层金属)工艺设计的一块集成电路芯片,设计完成后于2005年9月15日参加CSMC MPW投片试制。 ADC10A是CMOS数子模拟混合集成电路。本文采用正向设计方法。首先提出电路的设计目标为分辨率为10位,采样速率达到500Ksps,3.3V单电源工作,最大功耗为4.75mW,带宽为8MHz。然后构建了芯片的布局。芯片布局结构分为内核和外围I/O_PAD。内核部分又分为三个功能模块,如数摸转换器(DAC),电压比较器和数字逻辑单元。DAC电路为阻容网络耦合的电荷再分配型DAC,其中各位的转换开关为CMOS传输门。电压比较器由三级折叠式共源共栅运放和灵敏放大器构成。数字逻辑单元产生各种控制信号,使内部各个模块协同工作。 各部分电路设计完成后都进行了模拟仿真,都满足(大多优于)设计指标。 版图设计参考芯片布局结构划分的模块逐一设计,通过DRC、LVS后提取含有寄生参数的网表并进行了后仿真,仿真结果都满足(大多优于)设计指标。 本课题全部工作在PC机和SUN工作站完成,电路设计采用Workview Office系统;版图设计采用L-EDIT软件;应用Hspice软件对电路和版图的功能和性能进行仿真;应用Dracula软件检查版图的DRC和LVS,并结合Cadence的Composer和Virtuoso对电路图和版图进一步修正。其中工艺库文件为“h05mixddst02v13.lib”;模型库和标准单元库均采用北京美新华微电子技术有限公司的0.5μm器件模型和标准单元库;DRC规则文件csmc05.drc、LVS规则文件是csmc05.lvs。 ADC10A这款芯片已经在CSMC参加MPW投片成功,目前在进行后期的测试工作。