氧化铟锡（Indium Tin Oxide,ITO）透明导电薄膜作为一种把光学透明性能与电学导电性能结合在一体的光电材料,问世五十多年以来,在太阳能电池、平板显示、防霜玻璃、气敏器件、节能建筑窗和航空航天领域得到了广泛的应用。同时,近年来氧化铟锡透明导电薄膜作为透明电极,被广泛应用于电化学活性物质的电化学沉积制备及其光电性质研究的领域。在这些应用中,ITO薄膜在一定溶液环境下的电化学稳定性成为一个非常重要的问题,本文以商用玻璃基ITO薄膜为实验对象,研究了其在碱性溶液中阳极和阴极极化过程的电化学行为,系统的研究了碱性溶液中阴极极化腐蚀过程的反应参数对于反映速率和程度的影响规律,提出了ITO薄膜在碱性溶液中阴极极化腐蚀的详细过程和机理,得到如下结论:1、ITO薄膜在阳极处理后（约+1.5 V（vs SCE））保持了稳定的成分和结构,但经阴极处理后（约-1.5 V（vs SCE））发生了严重的电化学腐蚀。可见光透射率,电导率的大幅下降。反应的实质为ITO中的In³⁺粒子被还原为金属态In沉积在ITO表面。反应的化学方程式为阴极反应:In₂O₃+3H₂O+6e→2In+60H^-阳极反应:40H^-→O₂（g）+2H₂O+4e2、阴极极化程度的加强、pH值的增加以及Cl^-离子浓度的增加均能使ITO薄膜在碱性溶液中腐蚀速度加快,腐蚀程度增强。3、对ITO薄膜电极的电化学阻抗谱和等效电路的研究表明,ITO薄膜电极固液界面的传递电阻很大,腐蚀过程中该电阻显著减小。这是由于电极表面积的增大和金属态In的生成和吸附,使得半导体-溶液界面逐渐转变为金属-溶液界面。腐蚀反应从ITO薄膜表面晶界处开始并发展,直到生成物即晶态与非晶态的金属态In完全覆盖ITO薄膜表面,腐蚀反应结束。