本文对双层钙钛矿结构氧化物Sr₂FeMoO₆及其掺杂体系Sr₂(Fe_1-xMn_x)MoO₆、Sr₂(Fe_1-xCr_x)MoO₆和（Sr₂-xBax）FeMoO₆的晶体结构、原子有序以及电、磁性质进行了系统的研究。X射线粉末衍射分析表明,双层钙钛矿型系列化合物Sr₂(Fe_1-xMn_x)MoO₆（0≤x≤0.45）、Sr₂(Fe_1-xCr_x)MoO₆（0≤x≤0.4）均属于四方I4/mmm对称,而对于(Sr_2-xBa_x)FeMoO₆（0≤x≤2）系列来说,Ba元素的引入使得材料发生了结构相变,晶体结构由四方对称转变为立方Fm3 m对称。通过对这三个系列化合物的X射线粉末衍射数据进行Rietveld结构精修,发现在Sr₂(Fe_1-xMn_x)MoO₆及(Sr_2-xBa_x)FeMoO₆中B位离子有序度均有所提高,而在Sr₂(Fe_1-xCr_x)MoO₆中,由于离子择优占位的原因,B位有序度大为降低。在Sr₂(Fe_1-xMn_x)MoO₆ （0≤x≤0.45）体系中,提出相分离模型:(Mn³⁺,Mo⁵⁺)和(Mn²⁺,Mo⁶⁺)价态对同时存在,Mn³⁺替代Fe³⁺有一饱和值,当掺杂含量大于一定值时,Mn离子多以+2价形式出现。在Sr₂(Fe_1-xCr_x)MoO₆ （0≤x≤0.4）体系中,饱和磁化强度（MS）与错位浓度（AS）呈线性关系,低场磁电阻（LFMR）随饱和磁化强度增大而增加。在（Sr₂-xBa）x)FeMoO₆（0≤x≤2）体系中,由于居里温度（TC）和低场磁电阻（LFMR）在x=0.4处都呈现最大值,因此,我们认为(Sr_1.6Ba_0.4)FeMoO₆是（Sr,Ba）FeMoO₆体系中的最佳化合物。对于掺杂含量x≦1.6的（Sr₂-xBa_x）FeMoO₆样品,其电子输运呈金属性,低场磁电阻效应LFMR大于原始样品Sr₂FeMoO₆,而对于掺杂含量x≧1.7的样品,其导电性能呈半导体性,低场磁电阻效应LFMR几乎消失。这种现象主要是由于B位价态由(Fe³⁺,Mo⁵⁺)向(Fe²⁺,Mo⁶⁺)转变致使巡游电子减少而引起的。