本文利用德国柏林晶体实验室提拉法（Czochralski）生长、切割而成的铝酸锂（LiAlO₂,LAO）晶片,系统研究了抛光液磨料性质、抛盘转速、抛光时间、抛光压力以及抛光环境等系列抛光工艺参数对抛光晶片表面质量的影响规律,经过抛光处理后的LiAlO₂基片利用光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等仪器测量其表面质量及其相应的粗糙度。结果表明采用Al₂O₃和自制的SiO₂悬浊液作为抛光液是获得高质量晶体基片的前提。表面粗糙度随抛盘转速、抛光压力呈现先减小后增大,而随抛光时间呈现逐渐减小的趋势;材料去除率随抛盘转速、抛光压力呈现先增加后减小的趋势。通过一系列工艺参数的优化与调整获得了高质量铝酸锂晶体基片最佳的抛光工艺,相应的表面粗糙度为2.695nm,完全满足GaN生长的需要。通过对抛光过程的深入分析,探讨了自制SiO₂悬浊液抛光过程中与晶体基片的反应机理。采用炉内退火试验模拟实际GaN生长过程中的实际环境,系统分析退火温度、保温时间对晶体表面质量的影响规律,获得最佳的退火条件。结果表明随退火温度的增加表面粗糙度显著增加而随着保温时间的延长粗糙度呈现先增加后减小的趋势。800℃退火保温15min可最大限度减小Li离子的挥发,相比于抛光样品表面粗糙度只略有增加。利用化学侵蚀的方法观察实际LiAlO₂晶体退火前后位错蚀坑特征、缺陷密度变化,借助激光共聚焦技术获得了退火前后腐蚀坑的三维形貌,结合铝酸锂晶体的实际原子结构,提出提拉法生长铝酸锂晶体缺陷形成机理。