【摘 要】
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采用溶胶凝胶(Sol-Gel)和磁控溅射法(Magnetron Sputtering,MS)制备了具有电致变色性能的三氧化钨(WO)薄膜,并对其结构和性能作了研究.主要内容如下:基底对于成膜质量有很大
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采用溶胶凝胶(Sol-Gel)和磁控溅射法(Magnetron Sputtering,MS)制备了具有电致变色性能的三氧化钨(WO<,3>)薄膜,并对其结构和性能作了研究.主要内容如下:基底对于成膜质量有很大的影响,未经处理的玻璃基底在高温退火处理时,由于Na<+>的析出在WO<,3>薄膜中形成了Na<,2>WO<,4>晶体.采用Sol-Gel法制备的WO<,3>薄膜随着退火温度的升高,相结构由正方相向三斜相转变;电致变色性能随着膜厚的增加而改善.采用MS法,在富氧条件下制备的WO<,3>薄膜,随着氧含量的增加,薄膜的电致变色性能得到提高.在不同氩氧比条件下,薄膜表现出了不同的相结构;薄膜经空气中和真空中退火处理后,电致变色性能明显改善.在高的工作压强及氧气含量较小的情况下,改变氩气含量对薄膜的电致变色性能几乎不产生影响;但随着工作压强的升高,薄膜的退色更安全.通过对薄膜着色态自退色过程的研究发现,在工作压强为4Pa,氩氧组分比为40/5条件下沉积的薄膜具有优异的着色态稳定性能.同时,对WO<,3>-TiO<,2>、TiO<,2>-WO<,3>双层膜的电致变色性能作了研究.利用对表面结构缺陷敏感的慢正电子束流技术对WO<,3>薄膜的电致变色机理作了研究,从电子结构的角度很好的解释了WO<,3>薄膜的着、退色过程及电致变色性能的优劣.
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