当前出现的冯·诺依曼瓶颈（CPU与内存之间巨大的发展差异）极大程度地限制了数据驱动应用的高效信息处理。人类的生物学大脑是一个具有强大认知能力且计算-存储并行的多功能、高效节能系统,能够构建完美的人脑计算机是大多数领域的目标。神经元和突触的存在对大脑功能的实现至关重要。对于人工突触器件,最基本的特征之一是信号输出可以由所施加的激励强度或激励历史来操纵。铁电隧道结作为人工突触器件可以通过有效控制其电极化状态来有效模拟突触功能。在本论文中,我们基于优化的聚偏氟乙烯（PVDF）条件下,在制造的有机铁电隧道结（OFTJs）中成功实现突触反应的模拟,验证了突触可塑性的长时程增强（LTP）、长时程抑制（LTD）特征及脉冲训练性能的作用。此外,我们的器件还可以实现多态存储功能。主要内容如下:（1）PVDF薄膜制备工艺的优化。调整制备工艺流程来制备出性能佳的PVDF薄膜。例如要想在低电压情况下实现PVDF层的极化翻转,就要求对薄膜厚度有一定的限制,我们通过调节DMF:PVDF溶液的浓度来控制旋涂后的PVDF薄膜的厚度;同时调整旋涂过程中的转速及时间等重要参数;改变经旋涂的PVDF薄膜的热处理条件,如退火环境、退火温度及退火时间。之后利用物相结构分析、表面形貌分析、粗糙度及厚度分析等技术手段对PVDF薄膜性能进行表征,结果表明,20 mg/ml浓度下的DMF:PVDF溶液经转速为3000 RPM持续60 s的旋涂和150℃热处理2小时得到的PVDF薄膜出现了明显的β相所对应的衍射峰,铁电行为明显,且薄膜表面没有出现裂纹、空洞等明显缺陷,膜表面是光滑、连续、致密的,相对来说足够平整,性能较佳。（2）基于氧化铟锡（ITO）/PVDF/Au结构的铁电隧道结的制备。以厚度为100 nm的ITO导电层作为有机铁电隧道结的底层,利用实验室的紫外曝光机对其曝光后再进行显影、氯化氢溶液刻蚀等操作,获得200μm宽度的长条状底部电极;按照优化后的工艺参数将DMF:PVDF溶液旋涂到ITO/玻璃基片上,为提高铁电相的结晶度,置于150℃的空气中热处理2 h,完成作为中间层的有机铁电薄膜的生长制备;最后通过更换特定的掩模版结合磁控溅射法在PVDF薄膜上溅射生长顶部电极Au。（3）对基于ITO/PVDF/Au结构的样品进行突触行为模拟。通过使用电学测试平台在器件的电极之间施加电场,调控势垒层的铁电极化从而调控其电阻（突触权重）。实验证明了突触可塑性的LTP、LTD和脉冲训练性能。测试发现器件的电阻可以成功地由20个正脉冲增强,由随后的15个负脉冲降低。器件电阻随脉冲数的增加而单调增加,同时器件具有电阻保持性和再现性特点,证明了我们所制备器件的可靠性。此外,我们的器件还可以实现多态存储功能。