Fe(Cu、Cr)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体薄膜的研究

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【摘要】

：

近年来,稀磁半导体(DMS)作为半导体自旋电子学的基础而受到广泛关注。研究者希望通过控制半导体中的电子自旋提高传统半导体技术,使之成为高处理速度、低能量损耗的非易失性存储器的基础。众多研究者在稀磁半导体领域做了大量的工作并取得可喜的成果,但是关于磁性起源的研究仍然没有大的突破。针对此问题,本文采用离子注入、磁控溅射及离子束溅射的方法制备了Fe(Cu、Cr)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体薄膜样品,分析

【作者】

：

张倩

【机构】

：

河北师范大学

【发表日期】

：

2011年03期

【关键词】

：

磁性半导体掺杂微观结构铁磁性

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