集成电路产业进入深亚微米阶段,芯片规模急剧增大,对于数据信息的巨大存储需求使得嵌入式存储器在片上系统(SOC)中的集成度越来越大。制造工艺的不断进步,嵌入式存储器本身也变得愈加复杂,出现了一系列新的故障类型,比如三单元耦合故障。存储器的故障会引起芯片逃逸率的上升,存储器内建自测试(Mbist)技术是目前大容量存储器测试的主流技术,建立新的存储器故障模型,研究高效率的存储器测试算法,对提高芯片成品率,降低芯片设计生产成本具有重要意义。本文的主要工作及研究内容如下:1)在分析存储器单一单元故障和耦合故障模型的基础上,对新出现的三单元耦合故障进行建模,从故障行为和存储单元逻辑值的排列组合方面对8大类,总共1656种三单元耦合故障完成建模。2)分析经典存储器测试算法的设计思想,结合March系列算法和Checkboard算法的优点,基于1656种三单元耦合故障模型,提出了全新的存储器内建自测试算法SmarchChk 3C,该算法的时间复杂度为50N,对三单元耦合故障的覆盖率为100%。3)以2048X32的SRAM为待测存储器,完成了存储器库文件模型的建立,基于算法SmarchChk 3C的操作步骤,结合EDA工具Tessent Mbist完成了Mbist电路的地址生成以及背景数据初始化设计,基于EDA工具的用户自定义算法命令完成了SmarchChk 3C的命令编写,将其导入EDA工具进行算法的仿真验证。对照测试仿真波形图,详细分析了测试算法的关键步骤,并通过人为注入故障的方法,对算法的有效性进行了验证。实验结果表明,本文设计的算法可以检测所有的三单元耦合故障,该算法具有故障覆盖率高,时间复杂度低的优点。