AlN具有宽直接带隙、耐辐射、耐高温、高击穿场强等特点,是重要的第三代半导体材料,广泛用于制备半导体激光器（LD）、高亮度发光二极管（LED）、紫外光电器件等。MOVPE是生长AlN薄膜的关键技术。在AlN的MOVPE生长过程中,表面反应决定了薄膜的缺陷分布、杂质含量和表面粗糙度。为了制备出满足器件要求的高质量薄膜,深入了解AlN-MOVPE表面反应机理至关重要。本论文利用量子化学的密度泛函理论,针对AlN-MOVPE的三种主要吸附粒子MMAl、DMAlNH₂、Al（NH₂）₃在理想、H覆盖和NH₂覆盖的AlN（0001）-Al面（简称AlN表面）的吸附和扩散进行计算分析。首先,利用Material Studio建立三种AlN表面的周期性模型,电子交换-关联能采用GGA中的PW91方法计算。然后,分别对MMAl、DMAlNH₂、Al（NH₂）₃在三种不同表面的不同吸附位的吸附能、PDOS和Mulliken化学键布居进行计算分析,揭示粒子在表面的稳定吸附位和成键原理;最后,计算吸附粒子在表面的扩散能垒。主要结论如下:（1）比较三种粒子在不同表面的吸附能,发现在理想AlN表面,含有Al-N键的粒子（即DMAlNH₂和Al（NH₂）₃）比只含Al-C键的粒子（即MMAl）更容易吸附;在H或NH₂覆盖的AlN表面则相反。说明富Al表面有助于含有Al-N键的粒子的吸附,富H和富NH₂表面对Al-N键的吸附有抑制作用。（2）MMAl在三种表面的吸附均为分子吸附,且均吸附在表面对称性较高的H3位和T4位（在理想表面也可吸附在Br位和Top位）;DMAlNH₂在H和NH₂覆盖的AlN表面均为分子吸附,但在理想表面很容易发生分解吸附;Al（NH₂）₃在三种表面的吸附均为分子吸附。（3）在H覆盖的AlN表面,DMAlNH₂和Al（NH₂）₃均可能吸引一个表面H形成-NH₃分子团,使得表面H覆盖度由1ML变为0.75ML。说明,DMAlNH₂和Al（NH₂）₃的吸附均倾向于形成0.75ML的H覆盖表面。（4）针对含C粒子在三种表面的吸附,发现MMAl单独吸附时,C原子均不参与表面成键。DMAlNH₂在H或NH₂覆盖表面吸附时,C原子同样不参与成键。但在理想表面,DMAlNH₂中的一个Al-C键可能会发生断裂,分解出的CH₃吸附到表面Al原子上。（5）MMAl在理想AlN表面的扩散能垒明显小于DMAlNH₂和Al（NH₂）₃的扩散能垒,说明富Al表面有利于MMAl的扩散。MMAl在NH₂覆盖的AlN表面上的扩散能垒则明显高于另外两个表面,说明富NH₂表面抑制仅含Al-C键的粒子的扩散。DMAlNH₂和Al（NH₂）₃在三种表面的扩散能垒由大到小依次为:理想表面、NH₂覆盖表面、H覆盖表面,说明富Al表面对含Al-N键的粒子的扩散最不利,其次是富NH₂表面,而富H表面有助于它们的扩散。