窗口层薄膜的光学带隙是影响非晶硅太阳能电池效率提高的关键因素。窗口层薄膜质量的好坏将直接影响太阳能电池的开路电压和短路电流大小。本文采用PECVD沉积法,首先研究同种工艺条件下不同导电玻璃上P型μc-SiC:H薄膜的光学特性。再进一步研究功率、气体温度、气体流量比对薄膜光学和电学特性影响。本论文研究的主要工作:1.从三种主流的导电玻璃中选取适合作为P型μc-SiC:H薄膜的基板。在同种工艺条件下,对三种导电玻璃上的P型μc-SiC:H薄膜的光学带隙和透过率进行对比。实验发现FTO导电玻璃无论在光学带隙还是透过率方面都适合作为薄膜太阳能电池的窗口层基板。2.在选取好导电玻璃后,进一步研究了射频功率、气体温度、气体流量比对FTO导电玻璃上的P型μc-SiC:H特性的影响。发现在射频功率为40 W,气体温度为160℃,SiH4和CH4气体流量比为1:2时沉积的P型μc-SiC:H窗口层具有较高的透过率和光学带隙。3.进一步沉积了I层、N层和背电极,研究了射频功率和衬底温度对I层薄膜电阻率的影响。发现射频功率在25 W时沉积的非晶硅薄膜电阻率最高,达到9.7×106Ω.cm。研究了I层厚度对太阳能电池效率的影响。结果表明在厚度为400 nm时太阳能电池有较高效率。4.CH₄和SiH₄的气体流量比最终会影响到P层薄膜中碳含量的不同,薄膜中碳硅键的增加将会影响材料的禁带宽度。进一步影响太阳能电池的开路电压在CH₄:SiH₄为3:1开路电压达到0.73 V。5.同种工艺条件下对三种导电玻璃上的P型μc-SiC:H太阳能电池的I-V特性分析表明FTO基板上的太阳能电池I-V曲线具有较高的填充因子。