磁控溅射制备VO2薄膜及其结构性能研究

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VO2作为智能节能材料之一,具有优良的调光性能,可以根据环境的变化来智能控制室内温度。但是,想要将VO2应用在实际生活中,需要降低VO2薄膜的相变温度至室温附近,并提升薄膜的平均可见光透光率。在此背景下,本文以陶瓷V2O5为靶材时,分别研究了沉积温度、薄膜厚度、沉积气氛和退火对薄膜结构、相变温度及平均可见光透过率的影响;以金属V为靶材时,分别研究了溅射功率、气氛流量和退火对薄膜结构、相变温度及平均可见光透过率的影响。得到如下结果:(1)使用V2O5靶材时,400℃是获得VO2(M)薄膜的最佳沉积温度。不同沉积温度下制备的薄膜和掺H/O薄膜经500℃退火后,可获得结晶性很好的(100)取向的VO2(M);使用V靶时,在300 W溅射功率下,引入3 sccm左右的O2流量,且经500℃退火后可获得单相VO2(M)薄膜。(2)400℃下沉积的60 nm的VO2(M)薄膜的相变温度随退火温度升高呈现出先降低后增加趋势。对于由不同沉积温度制备且经500℃退火后的薄膜,沉积温度增加,相同膜厚薄膜的相变温度基本上呈现出逐渐降低的趋势;H掺杂可以降低薄膜的相变温度,根据制备时引入的H2流量、退火温度和退火时间可以调控薄膜的相变温度;低价态钒氧化物的存在会降低VO2(M)薄膜的相变温度。(3)60 nm VO2(M)薄膜的平均可见光透光率最高,约为50%;薄膜中高价态和低价态钒氧化物的存在都能增加VO2(M)薄膜的平均可见光透光率;热处理有利于提高薄膜的平均可见光透光率。
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