P-MBE法生长ZnO薄膜及其结构和光学特性的研究

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【摘要】

：

紫外探测器、传感器、短波长发光和激光二极管等光电子器件,在光通讯、光存储、显示等领域具有广泛的应用前景。而ZnO等宽禁带半导体材料是非常有希望的侯选材料,因此ZnO的研究已经成为国内外研究的热点。然而ZnO系列光电子器件没有广泛应用的关键问题有两个:一是p型掺杂问题,二是能带匹配问题。但这两个关键问题都要求制备出高质量的ZnO薄膜。针对这个问题,本论文用MBE在大失配的Al2O3(0001)衬底上

【作者】

：

蓝镇立

【机构】

：

北京交通大学

【发表日期】

：

2007年04期

【关键词】

：

ZnO薄膜 P-MBE 光致发光 Raman散射

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