论文部分内容阅读
本论文以先期报道的对环境中砷酸盐[As(Ⅴ)]具有高累积与挥发能力的棘孢木霉(T. asperellum SM-12F1)、微紫青霉(P. janthinellum SM-12F4)和尖孢镰刀菌(F. oxysporum CZ-8F1)作为研究材料,采用溶液培养法研究了该三株真菌对环境中亚砷酸[As(Ⅲ)]的耐性、累积与挥发能力,分析了As(Ⅲ)输入真菌细胞及其向胞外释放的可能过程,并探讨了真菌细胞内砷形态转化的可能规律。结果如下：(1)三株目标真菌均表现出了一定的耐As(Ⅲ)能力。As(Ⅲ)浓度分别为40和80mg·L-1时,培养5d后,P. janthinellum SM-12F4和F. oxysporum CZ-8F1的生物量显著高于不加砷的对照(P<0.05)；培养环境中的As(Ⅲ)在一定程度上促进了T. asperellum SM-12F1和P. janthinellum SM-12F4在对数生长期的生长速率,且培养时间达到5d时各菌株均进入稳定生长期；As(Ⅲ)存在下F. oxysporumCZ-8F1的菌丝更加饱满,且侧支明显减少,而其它菌株的菌丝形态没有明显变化。(2)三株目标真菌均具有一定的As(Ⅲ)累积与挥发能力。当培养液中As(Ⅲ)浓度为40mg·L-1,培养时间为5d时,T. asperellum SM-12F1, P.janthinellumSM-12F4和F. oxysporum CZ-8F1对As(Ⅲ)的累积效率分别为53.02,13.67和13.65μg g-1d-1,挥发效率分别为51.87,54.34和46.35μg g-1d-1。目标真菌对As(Ⅲ)的累积与挥发能力,可用于今后砷污染环境的修复或调控中。(3)环境中的As(Ⅲ)能进入真菌细胞,其中一部分As(Ⅲ)能发生氧化反应,产物为As(Ⅴ),而一部分As(Ⅲ)还可以被再次释放到细胞外。各菌株比较来看,P. janthinellum SM-12F4和F. oxysporum CZ-8F1细胞内存在的砷主要为As(Ⅲ)和As(Ⅴ),而T. asperellum SM-12F1细胞内的砷主要以As(Ⅲ)为主。而各菌株培养液中及细胞壁外吸附的砷主要为As(Ⅲ)。