电迁移影响MOS集成电路失效的可靠性分析

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【摘要】

：

该课题研究电迁移对MOS集成电路失效的可靠性分析的影响,是半导体可靠性分析中的一个重要方面.随着VLSI中的器件和布线的尺寸不断变小,集成规模和芯片复杂度不断提高,电迁移

【作者】

：

詹郁生

【机构】

：

华南理工大学

【出处】

：

华南理工大学

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

电迁移集成电路失效机构可靠性分析退化机理复杂度半导体芯片寿命器件联线课题金属措施尺寸布线

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该课题研究电迁移对MOS集成电路失效的可靠性分析的影响,是半导体可靠性分析中的一个重要方面.随着VLSI中的器件和布线的尺寸不断变小,集成规模和芯片复杂度不断提高,电迁移已成为集成电路主要的失效机构之一.为了改善VLSI的可靠性,必须进一步弄清楚电迁移寿命退化机理,采取措施改善集成电路中金属互联线的可靠性.

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