本文利用Larsen等人改进的微扰方法,考虑实际异质结势,计及体纵光学声子、两支界面光学声子的影响,从理论上讨论磁场下半导体异质结中极化子朗道能级的基态和第一激发态的能量,获得极化子行为对外磁场的依赖关系,并分弱、强磁场和回旋共振三种情况讨论极化子回旋质量及其压力效应。对Ⅲ—Ⅴ族GaAs/AlAs半导体异质结的计算结果显示:在弱场极限,尽管体纵光学声子对极化子回旋质量的影响更为重要,但高频支光学声子的贡献是不容忽略的;随着磁场的增加,两支界面声子的贡献逐渐变为与体纵光学声子的贡献相比拟。压力下(40Kbar),两支界面声子对极化子回旋质量的贡献随着磁场强度的增加愈加显著,体声子和界面声子的贡献均为重要。强场下,各支声子对极化子回旋质量贡献随场强的变化性质及其压力效应与弱场时随磁场减弱的变化性质相同,但符号相反。在各支声子频率附近发生回旋共振时,极化子回旋质量的压力效应均为显著。在以后的工作中,特别是讨论极化子回旋共振的压力效应时,应该采用精细的界面声子模。 为了在三元混晶中对回旋质量等相关参数做进一步研究,本文采用班士良等人的简化相干势近似(SCPA)方法,对Ⅲ—Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶InGaN半导体的禁带宽度进行了计算,与实验符合较好。结果表明:SCPA是一可取的近似方法。