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本文阐述了微系统的发展过程，叙述了二元光学的研究现状和二元光学的成型过程，比较了几种不同的刻蚀过程方法。并且详细介绍了离子刻蚀和离子源的原理。介绍了PLC控制等离子体刻蚀机的硬件系统和软件系统的设计。电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统结合侧壁保护工艺可以实现高深宽刻蚀。 本文详细介绍了PLC的原理。控制器选用的西门子的S7-200型PLC，这种PLC易于实现对机器的控制。 软件部分有上位机和下位机软件两种，上位机直接用PLC配置的应用开发软件，下位机是用S7-200提供的编程语言编写程序。