RF MEMS开关作为微波信号和高频信号控制的关键器件，与传统的PIN二极管开关和FET开关相比，具有插入损耗小、隔离度高、驱动功耗小、加工成本低等优点，在军、民用领域有广泛的应用价值。但目前RF MEMS开关存在的一个主要问题是驱动电压过高，不能满足现代通信系统的发展要求。低驱动电压K波段电容耦合式RF MEMS开关的设计、仿真与加工制备是本课题的主要研究内容。 论文分析了电容式射频开关的工作原理，推导了开关驱动电压的理论公式，设计了四种不同结构的空气桥电容式开关，并使用MEMS CAD软件CoventorWare和高频电磁场仿真软件HFSS，对开关模型进行了机电耦合仿真和微波性能仿真。开关以共面波导为传输线，SiO2为桥墩，Si3N4为绝缘介质层，以铝硅合金为梁。空气桥膜包含双驱动电极，采用弹性折叠梁作为支撑结构。仿真结果表明，开关的驱动电压小于3V，满足低驱动电压的设计目标。开关在K波段插入损耗小于0．4 dB，隔离度大于17dB。 在多次改版、流片的基础上，围绕制备工艺中的一些关键技术，对器件版图和加工工艺作了改进和完善。经过多次流片，成功制备了低驱动电压K波段电容耦合式RF MEMS开关原理样品。