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GaN是一种优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有十分优良的化学和物理稳定性,这些优良的性能使其在商业领域中具有广泛的应用前景,引起了人们的极大兴趣和广泛关注。本文采用化学气相沉积法(CVD)制备出了微纳米结构的GaN,并研究了N2流量、NH3流量、衬底、金属缓冲层、反应温度和反应时间以及掺杂剂Mn和Cu对制备的GaN微纳米材料的结构、形貌、光学和电学性能的影响,并对可能的形成机理进行了初步探索。主要的研究结果如下：1.采用化学气相沉积法(CVD),以金属Ga和NH3为原料,对不同条件下合成的GaN的形貌、成分、晶体结构和性能进行了研究。结果表明：(1)随着N2流量的增加,产物GaN实现了由微米棒到蠕虫状线再到光滑纳米线的转变。生成的GaN均为纯物相的六方纤锌矿结构,表现出383nm的近带边紫外发射峰和470nm左右的蓝光发射峰；(2)不同NH3流量下生成的GaN均为六方纤锌矿结构,均出现了380nm左右的近带边紫外峰以及以460nm为中心波长的半高宽较大的蓝光发射峰。在NH3流量为30sccm时产物的结晶性能更好,且生成的纳米线直径均匀,表面光滑；(3)在Al、Ni和Fe金属缓冲层上生成的GaN均为六方纤锌矿结构的微米薄膜,均表现了很强的近带边紫外发射峰和中心波长为672nm半峰宽较大的红光发射峰。其中Ni缓冲层上产物GaN的形貌均匀、结晶性能和光学性能更好。电阻大小依次为RNi<RFe<RAl,迁移率大小依次为μNi<μFe<μAl；(4)蓝宝石衬底和Si衬底上的微米片均为六方纤锌矿结构,两组样品均为n型。但蓝宝石衬底上产物的表面平整光滑、结晶性能和光学性能更好；(5)在不同的温度下生成的GaN均为六方纤锌矿结构,都出现了361nm的近带边紫外发射峰和646nm的红光发射峰。但在9500C时产物为光滑的纳米线,直径均匀约100nm,结晶性能和光学性能更好；(6)在15min到45min的反应时间内,反应30min时样品的形貌较好,直径均匀,结晶性能和光学性能最好。2.随着Mn的掺杂量从4%到16%的增加,产物的形貌发生了从微米棒到微米管的演化,近带边紫外峰发生了红移。但在Mn的掺杂量为12%时产物的形貌规整、结晶性能和光学性能最好；而在Cu的掺杂量为6%时产物的形貌和性能最好。