【摘 要】
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氧化镓(Ga_2O_3)是一种宽禁带半导体材料，随着纳米材料的优越性越来越被人们所认识到，对纳米Ga_2O_3结构的研究也逐渐成为热点。纳米Ga_2O_3具有优异的电学性能和发光性质，以及稳定的化学性能和热力学性能，因而有很好的应用价值，比如在纳米电子、光电子器件方面等。本文首先利用VS生长机制成功制备出了Ga_2O_3的零维球形纳米颗粒。由实验结果可以看出，不同生长条件下制备的样品形貌存在一定差
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氧化镓(Ga_2O_3)是一种宽禁带半导体材料，随着纳米材料的优越性越来越被人们所认识到，对纳米Ga_2O_3结构的研究也逐渐成为热点。纳米Ga_2O_3具有优异的电学性能和发光性质，以及稳定的化学性能和热力学性能，因而有很好的应用价值，比如在纳米电子、光电子器件方面等。本文首先利用VS生长机制成功制备出了Ga_2O_3的零维球形纳米颗粒。由实验结果可以看出，不同生长条件下制备的样品形貌存在一定差异，分析原因是由于不同生长条件下环境中氧分压的不同所造成的。我们还对所制备的Ga_2O_3纳米结
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