进入二十一世纪以来，微电子工业的发展已逐渐不能满足摩尔定律的需求，微电子带宽尺寸越来越小，量子效应越来越明显，以纳米器件为核心的下一代分子电子电路逐渐受到人们的青睐。作为纳米器件互连的“桥梁”，Au、Ag金属纳米线由于其优良的电学、热力学等性能成为考虑的首选。虽然目前人们将很多成熟微电子电路工艺直接应用于Au、Ag纳米线互连，但仍存在实验数据缺乏、连接过程不可观测等问题，纳米线接头的性能分析依然存在诸多难点亟需解决。所以研究金属纳米线之间接头形成工艺及可靠性成为重中之重。本文采用分子动力学方法针对同种材料Au-Ag及异种材料Au-Ag纳米线接头连接问题，计算头对头、“搭接”、T字型、十字交叉型四种接头形成过程；通过改变纳米线直径、连接温度、压力等工艺参数分析对其头对头纳米线接头形成的影响；考虑电子电路对接头强度的要求，本文对不同类型纳米线接头进行力学性能模拟。研究结果表明，Au-Au与Au-Ag纳米线接头形成过程分为原子扩散和原子成键两个阶段，头对头、“搭接”、T字型、十字交叉型都形成优良的接头，各接头下原子配位数都为低键位，异种金属Au-Ag纳米线接头晶体结构复杂，热影响区较大；不同纳米线直径影响接头结构，直径越小，接头结构越不规则，且直径为2nm时配位数较多，表现出纳米线量子效应；温度影响纳米线的扩散，并为接头内原子重新成键提供能量，温度高于临界值时，纳米线的扩散趋于饱和，但此临界值尚未能使原子全部重新成键，继续提高温度又会使纳米线扩散变得不规则，综合考虑二者应选择合适的温度工艺参数；连接过程中施加压力有助于增加纳米线中原子势能，促进连接接头的形成，压力对Au-Ag异种材料接头配位数目影响不大；不同接头力学性能分析表明头对头接头拉伸强度最大，属于韧性断裂，十字交叉型接头纵向拉伸也为韧性断裂，断裂位置位于纳米线上，“搭接”、T字型与十字交叉型（001）轴向属于脆性断裂，断裂位置在热影响区与纳米线接触区域，拉伸过程中伴随出现由密排六方构成的层错。