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随着信息技术的快速发展,各电子系统中的元器件均朝着“小、轻、薄、精”的方向不断提高,信息频率也随着升高。适合材料工作的最高频率为共振频率,高于共振频率时,材料的磁损耗会急速加大,将不适合实际的应用。因此提高材料的共振频率成为近年来研究的热门的话题。本文研究的Fe Ga薄膜具有良好的软磁性能,其饱和磁致伸缩系数较大,矫顽力小,饱和磁场低,是很好的制造高频器件的磁功能材料。文中利用脉冲激光沉积的方法分别在Si(100)、PMN-PT衬底上沉积Fe Ga薄膜,利用XRD、AFM、VSM、SEM等手段对薄膜