具有优异的光电性能的II-VI族半导体材料,在光电转换,光致发光,生物标记,传感等领域都有着极其诱人的前景。但由于半导体材料在环境稳定性及生物相亲性等方面存在缺陷,人们便借助各种物理和化学方法来解决这一问题。其中通过与其他介质的复合是一个重要的途径,而针对这些复合结构的研究才刚刚起步。这些问题的解决无论在理论上研究胶体的界面性质还是在实际的应用中都显得十分重要。本论文采用不同的方法来实现半导体材料和化学稳定的二氧化硅材料的复合与杂化,并最终实现材料的多功能化。主要包括四方面的工作:第一我们利用简单的溶胶-凝胶法成功地制备出了窄分散的CdTe-SiO2杂化微球,我们发展的这一方法最大的优点在于水相的CdTe纳米晶不需要任何的修饰,而得到的杂化微球不但很好地保持了纳米晶的发光性质,而且其尺寸也可以在相当大的尺寸范围内可调。第二,我们提出一种新的制备CdTe-silica复合纳米粒子的方法,在该方法中纳米晶的表面的巯基羧酸配体与含有环氧官能团的硅烷偶联剂反应并进一步实现了在纳米晶表面生成非常薄的二氧化硅壳层。第三,我们对另一种重要的半导体材料ZnO与二氧化硅的复合进行了研究并通过非常简单易行的方法制得了ZnO/SiO2核壳胶体微粒或核壳膜层材料,并进一步通过刻蚀除去核层的ZnO部分得到中空的二氧化硅微粒或膜层。第四,结合文献工作和我们的实验结果,我们提出了关于II-VI族半导体材料与二氧化硅之间都具有着非常好的界面相容性的推测,并进一步选取了两种II-VI族半导体材料来证实这一推测。在理论分析上,我们探讨了胶体间的“界面相容性”就是相似相容这一原理在胶体界面间的一个具体反映,这一结论的得出为构造更为复杂和多样的杂化材料提供了理论上的指导和技术上的支持。