由于硫化铅(PbS)量子点具有带隙可调、波尔半径大(18 nm)、尺寸可控、制备方法简单及潜在的多激子效应等优点,在太阳能电池、光电探测器等领域具有极大的应用价值。然而,采用热注入法合成PbS量子点,其表面包裹的配体长链限制了载流子的传输,同时量子点表面存在大量的悬挂键,这些都会对其光电性能造成不良影响。为此,本文对PbS量子点合成及其钝化工艺展开研究,探究钝化方法对PbS量子点薄膜特性及PbS/Al肖特基结光电性能的影响。主要工作与结果如下:1.采用热注入法合成PbS量子点,提出通过变换冷却方式研究冷却速率对PbS量子点特性的影响。结果表明:随着冷却速率从2.5℃/min增加到10℃/min,量子点带隙变宽、PL谱和吸收谱出现蓝移、PL峰更加尖锐且半高峰宽(FWHM)变窄;当冷却速率为10℃/min、反应温度为90℃、反应时间为5 min时,制备出的PbS量子点尺寸为3.42 nm,带隙为1.21 eV,吸收光谱和PL谱均位于近红外区域;2.对比研究固态置换法、液相法及混合钝化法三种钝化工艺对PbS量子点薄膜特性的影响。结果表明:PbSMAI-MAI混合钝化效果最优,采用混合钝化法时,PbS量子点表面油酸长链几乎被完全去除,同时量子点表面引入的碘离子(I-)最多,钝化了 PbS量子点表面的悬挂键,提高了载流子输运能力;3.制备并研究PbS/Al肖特基结的光电特性。结果表明:采用混合钝化法钝化的量子点肖特基结的光电特性最优,与未钝化量子点肖特基结性能相比,在-2V偏压下,PbS/Al肖特基结光电流密度由3.6×10-11 A/cm2增加到1.2×10-7 A/cm2,开关比由2.5增大到565.5。