理论分析认为，在单畴临界尺寸以上，钕铁硼磁体的矫顽力随晶粒尺寸降低单调增加。热变形钕铁硼磁体的晶粒尺寸细小，理论上可以获得极高的内禀矫顽力。然而目前制备的热变形钕铁硼磁体矫顽力远远低于理论预期，并且研究者们对矫顽力机制的理解也很不充分，缺乏矫顽力提升的技术手段与理论支持。本文系统研究了热变形磁体的织构形成机制，通过微磁结构演变研究了热变形磁体磁化行为的物理本质，阐述了热变形磁体的矫顽力机制。在此基础上，发展晶界液相扩散技术，实现了热变形磁体矫顽力增强的目的，并分析了晶界扩散行为与矫顽力增强的物理机制，取得的主要成果如下。　　首先研究了热变形钕铁硼磁体的织构形成机制以及磁化行为。当形变量分别为0％，29％，50％和70％时，随形变量增加磁体的取向度优化，剩磁单调增加。而晶粒尺寸增加导致矫顽力逐渐下降。在不同形变量的磁体内均能观察到错取向片状晶的存在，随形变量增加，片状晶粒取向逐渐趋于压力方向。对磁体晶界相分析发现，在三角晶界位置存在NdFe7相。对不同形变量磁体的磁化行为分析发现，外磁场较低时，可逆磁化率较高且回复曲线出现不闭合现象;随外磁场增加，回复曲线闭合，可逆磁化率降低，表现出磁畴壁钉扎行为。随形变量增加，磁体的可逆磁化性程度减弱。在70％的磁体中，约化可逆磁化量在0.75Hcj处出现最大值，在矫顽力处出现最小值，表现出不均匀畴壁钉扎行为。　　其次系统研究了70％形变量磁体的微磁结构及其在磁化/反磁化中的演变过程。研究发现，热退磁态下，在粗大等轴晶粒内存在多畴结构，而在规则片状晶区域观察到的磁畴壁纵贯多个晶粒，表现出典型的交换耦合畴结构。磁化过程的微磁结构演变分析发现，在外磁场较低时，位于晶粒内的磁畴壁容易发生可逆位移，随外磁场增加，位于晶界的磁畴壁发生不均匀钉扎。在反磁化过程中，晶界对磁畴壁的不均匀钉扎尤为明显。微观组织结构表征发现，与c轴平行的晶界中，存在晶界相或晶格交叉等不均匀特征，而磁体内晶界结构不均匀可能是导致畴壁钉扎不均匀的原因。　　最后，研究了晶界扩散提升矫顽力以及矫顽力增强的物理机制。通过晶界扩散低共熔点的(Nd，Pr)-Cu相，将热变形磁体矫顽力从15.3kOe提高到了27.3kOe，剩磁从13.24kGs降低到了8.5kGs。剩磁降低主要是由磁体内非磁性相增多导致。物相分析显示扩散后磁体内存在金属Nd以及NdCu5相。扩散后磁体内，部分晶粒被非磁性相隔离，部分晶粒仍聚集在一起，说明晶界相在磁体内扩散不均匀。研究发现，初始磁体内相邻晶粒之间存在晶界相，液相易沿晶界扩散实现晶界相有效增厚，增强畴壁钉扎场;而当晶粒间缺乏晶界相时，晶界扩散难以发生。对扩散后磁体晶界相分析发现，晶界相中含有少量Fe元素，这主要来自于初始磁体中三角晶界的晶界相。深入分析扩散磁体磁化行为发现，第一象限内低外磁场下具有较高的可逆磁化率;在外磁场超过10kOe后，可逆磁化率几乎为零，比扩散前磁体中，表现出更加明显的畴壁钉扎行为。通过微磁结构分析证实了，低外场下晶粒内的磁畴壁容易发生畴壁可逆位移，而晶界的磁畴壁无明显变化，表现出较强的畴壁钉扎。第二象限内回复曲线在外磁场低于-15kOe时存在不闭合现象，说明磁体内存在不可逆磁化。约化可逆磁化量在20kOe处出现极大值，在矫顽力处出现极小值。宏观磁畴结构表明，扩散后磁体迷宫畴消失，出现了细小的条纹畴，表明晶界相具有明显的磁隔离作用。实验结果表明，磁隔离和磁畴壁的强钉扎效应是矫顽力增强的主要原因。