随着科学技术的不断发展革新,传统的半导体材料已无法满足人们在成像显示、存储、探测等众多领域的需求,所以科学界迫切地寻找宽禁带材料以满足在半导体领域的研究与应用。MZO(氧化镁锌)纳米材料由于其具有较宽的带隙调制(3.37-7.83 eV)与良好的光电性能等优点,得到了人们的广泛关注。尤其在紫外探测领域,因为MZO薄膜较宽的光学带隙可覆盖整个紫外波段,而且具有较强的抗辐射性以及对可见光有着良好的透过性,因此对基于MZO薄膜的紫外探测器有着较大的应用价值。本文采用不同工艺参数通过溶胶-凝胶技术制备了多组MZO薄膜,并利用SEM、XRD等方法对其各项性能进行表征分析,之后采用标准光刻工艺制备出MSM结构的MZO薄膜紫外探测模块,并对其光电性能进行表征分析,具体的研究工作如下:(1)使用溶胶-凝胶法在石英以及硅衬底上制备多组MZO纳米薄膜,并调整工艺参数,系统地研究了组分及退火温度对MZO薄膜表面形貌等微观结构的影响;并深入了解Mg含量对MZO薄膜的相结构及光学带隙的影响。(2)通过自建的薄膜方阻测试系统,研究了组分与退火温度对MZO薄膜高阻特性的影响,发现MZO薄膜方阻数量级随着Mg含量的增加由1010增加至1012,并结合其中物理机理及薄膜微观结构等方面,较为全面地分析了组分及退火温度对MZO薄膜高阻特性的影响。(3)利用湿法刻蚀等标准光刻工艺制备Mg含量不同的MSM结构MZO紫外探测模块,并且结合肖特基接触势垒等相关物理机制,研究了Mg含量对MZO薄膜紫外探测模块光电性能的影响。研究结果表明:随着MZO薄膜中Mg含量的增加,薄膜表面形貌变得更加致密均匀,表面平均粗糙度Ra也会随之减小,并且在350℃温度下退火会使MZO薄膜表面形貌得到较好改善。当Mg含量在10%～40%调节时,MZO薄膜在450℃退火温度下的薄膜方阻基本在1.648×1010 Ω/□～2.602×1012Ω/□范围之间,Mg含量的增加以及退火温度的升高都会使MZO薄膜的表现为更大的高阻特性。并且随着Mg含量的增加,MZO紫外探测模块在8V偏压下的暗电流由4.56nA降至33pA;在25V偏压下峰值响应度由0.086 A/W减小到1.62 mA/W,主要是由于肖特基势垒高度与MZO薄膜方阻的增加导致探测模块的响应度下降。