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薄膜晶体管（TFT）作为平板显示器件的核心元件，主要由以沉积形成的半导体、金属和绝缘体薄膜组成。目前，市面上的TFT大多是由SiO2薄膜作为绝缘层，但是随着电子设备的不断发展，SiO2薄膜已经不能满足TFT的需要。由于具有更佳的介电性能，Al2O3将有望逐步取代SiO2用来生产TFT。此外，我国Al含量丰富，并且Al2O3具有制备成本低、化学性能稳定，物理性质优异等特点。因此，对Al2O3薄膜的相关研究，有着更深远的理论意义与实用价值。本文采用射频磁控溅射的镀膜方法，以高纯Al2O3粉末为靶材，在不同的工艺条件（如氧气通入量、溅射功率、溅射时间），分别在玻璃和柔性基体（聚酰亚胺，PI）上制备Al2O3薄膜。利用探针轮廓仪、X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见分光光度计（UV-vis Spectrophotometer）分析了薄膜制备工艺参数对Al2O3薄膜表面形貌和光学性能影响。研究结果表明：通过工艺参数（溅射功率，靶距，氧气通入量，溅射时间）的匹配与优化，制备得到不同特征的Al2O3薄膜，其微观结构表现均为非晶态。随着通氧量的减少、溅射功率的增大、溅射时间的增加，Al2O3薄膜的厚度会增大；通氧量的增加、溅射功率的降低和溅射时间的缩短均会使Al2O3薄膜颗粒度、粗糙度降低；而随着通氧量的增加和溅射时间的缩短均会使Al2O3薄膜禁带宽度变宽，且最大值可达4.21eV。Al2O3薄膜除了作为新型介电材料外，还被广泛的应用在包装领域。考虑到本实验制备的非晶态Al2O3薄膜的禁带宽度有利于抗菌性提高。本研究以传统光催化氧化物薄膜体系（如CdO、ZnO、SnO2）作参照，探讨了非晶Al2O3薄膜的抗菌性。结果表明，Al2O3薄膜与其它体系氧化物薄膜相比，体现出了较好的抗菌性，24h抗菌率最高可达98.6%。此外，论文还对SnO2体系薄膜的抗菌性能进行了优化，通过F元素掺杂、改变不同工艺条件（氧气通入量分别为0、1、2sccm），使得SnO2薄膜24h抗菌率达到99.4%。