论文部分内容阅读
近些年来,溶剂热方法合成镓、铟硫属化合物成为人们研究的热点。这些化合物通常以MQ4 （M = Ga, In）四面体为基本结构单元,通过硫属原子共边或共角相连,形成多种多样的阴离子骨架结构,平衡阳离子主要是季胺盐、质子化的有机胺、金属配阳离子等。但是把1,10-菲啰啉（phen）引入到这类金属硫属化合物中很少报道,phen是很好的螯合配体。含phen的金属配合物在光电化学等方面有独特的性质而具有广泛的应用。本论文以phen为功能有机配体,将其引入到镓、铟硫属化合物体系,进行结构及光谱性质研究,主要包括以下内容:（1）首先对硫属化合物溶剂热合成概况及有机胺溶剂在合成硫属化合物中的作用进行了介绍;其次对溶剂热合成的镓、铟硫属化合物的晶体结构进行了总结;然后对phen及其配合物的性质和应用进行了简单描述。（2）在溶剂热条件下,首次把phen作为有机配体直接与主族金属配位引入到镓、铟硫属簇合物中,得到了两个目标产物[InSe（phen）Cl]4 （1）、[InS（phen）Cl]4·1.5C2H6O2·0.5 H2O （2）和四个相关的配合物[In（phen）2Cl2]I3 （3）、[Ni（phen）3]·[In（phen）Cl4]Cl·2（CH3CN）·H2O（4）、[Ga（phen）2Cl2]I3·H2O （5）、[Ga（phen）3]（ClO4）3·H2O （6）。化合物1和2的簇结构具有独特的空间对称性,化合物1为手性晶体。光谱研究结果表明把phen引入到硫属化合物簇中会发生簇与配体间的电荷转移,降低半导体材料的能隙。（3）通过溶剂热合成方法,把过渡金属–phen配阳离子引入到InS簇结构中,得到两个金属簇合物{[Ni（phen）3]3·H4In10S20}·2DMA·7H2O （7）、{[Ni（phen）3]3·H4In10S20}·14.5H2O （8）和三个相关配合物[Ni（phen）2Se4] （9）、[Mn（phen）2Se4] （10）、[Mn（phen）2S6] （11）,首次发现过渡金属配阳离子能够稳定具有游离T3结构的In10S20簇。在这种有机–无机晶体材料中,阴离子簇与[Ni（phen）3]2+阳离子之间有较强的电荷转移作用,显示出独特的光谱性质。