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硅是世界上储量最丰富的元素之一,广泛的应用于光电探测、光通信、微电子设备等重要领域。但是由于晶体硅的本身的性质,使得晶体硅表面对可见-红外光的反射很高,极大的限制了硅基光电器件的灵敏度、可用波段范围以及转换效率等关键技术指标。近年来,一种叫黑硅的微结构硅引起了人们极大的关注,黑硅由于对可见-红外光波段的光有着其极高的吸收,可以广泛应用于生物,红外探测,太阳能电池,药学,微电子,农业和安全检测等方面。目前制备黑硅的方法多种多样,但都有一定的局限和不足。本文提供了一种新型制备黑硅的方法,利用传统的湿法腐蚀技术,通过表面图形化,得到可见-近红外吸收在90%以上的黑硅材料,找到了一种工艺过程简单,可行和经济的制备黑硅的方法。本文的主要工作内容如下:1、设计了直径2μm、间隔2μm和直径1μm、间隔4μm两种尺寸的掩模版,使用光刻技术进行图形转移,用反应离子刻蚀技术刻蚀Si3N4薄膜,制备了湿法刻蚀的掩模层。2、使用KOH腐蚀系统制备了规则排列的微阵列结构,并用SEM进行表征。研究了KOH浓度、反应温度、腐蚀时间等因素对样品微观形貌的影响,获得了控制表面形貌的基本实验参数及规律。3、进一步使用HF腐蚀系统,利用金颗粒催化原理,对微结构表面进行改性。4、利用积分球测试系统,研究了KOH腐蚀系统制备的黑硅样品和进一步用HF腐蚀系统对样品微结构表面改性后的可见-近红外的光学吸收特性:KOH腐蚀系统制备的黑硅样品在可见-近红外波段吸收率为80%以上,进一步用HF腐蚀系统对样品微结构表面改性后在可见光波段光吸收率在95%以上,在近红外波段光吸收率也在90%以上。5、分析得出了黑硅样品微观形貌增加光吸收的原因和机理。