UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜

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【摘要】

：

本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。使用实验室自行研制的UHV／CVD—Ⅱ外延设备，在低温下(500-650℃)外延生长了大面积均匀的薄硅单晶外延片，系统研究了UHV／CVD系统硅外延的生长速率曲线；并对外延片在高频领域的应用进行了初步

【作者】

：

崔继峰

【机构】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2004年06期

【关键词】

：

硅单晶 UHVCVD 薄膜技术外延生长外延层化学气相沉积外延材料异质结构生长机理外延片

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