【摘 要】
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CdTe属于II-VI族半导体化合物,具有较窄的禁带宽度(1.45 e V)、较高的光吸收系数和理论转化效率,作为吸收层材料广泛应用于太阳能电池。商业化CdTe太阳能电池组件的转换效率为18.6%,超过多晶硅组件的17.7%。目前制备CdTe薄膜的方法有磁控溅射法、近空间升华法、气相传输沉积法和电化学沉积法等。与其他沉积方法相比,电沉积方法操作简单、成本低廉、容易控制、成膜均匀致密,十分适合于大面
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CdTe属于II-VI族半导体化合物,具有较窄的禁带宽度(1.45 e V)、较高的光吸收系数和理论转化效率,作为吸收层材料广泛应用于太阳能电池。商业化CdTe太阳能电池组件的转换效率为18.6%,超过多晶硅组件的17.7%。目前制备CdTe薄膜的方法有磁控溅射法、近空间升华法、气相传输沉积法和电化学沉积法等。与其他沉积方法相比,电沉积方法操作简单、成本低廉、容易控制、成膜均匀致密,十分适合于大面积CdTe半导体薄膜材料的制备。目前大多采用酸性溶液进行电沉积,酸性条件下电沉积CdTe薄膜存在着许多问
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