【摘 要】
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该论文进行了热丝法制备优质稳定a-Si:H薄膜和poly-Si:H薄膜的研究,详细分析了HWCVD的化学反应动力学过程,讨论了热丝法制备硅薄膜的沉积机制.对HWCVD沉积硅薄膜的动力学过程
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该论文进行了热丝法制备优质稳定a-Si:H薄膜和poly-Si:H薄膜的研究,详细分析了HWCVD的化学反应动力学过程,讨论了热丝法制备硅薄膜的沉积机制.对HWCVD沉积硅薄膜的动力学过程进行了深入的分析,研究了多晶硅薄膜的形成机制.(1).以轴对称模型计算了不同沉积条件下气体温度场的分布.(2).完善了HWCVD的化学反应动力学模型.(3).详细分析了不同气相反应的反应速度常数.(4).引入一个新的参数--时间常数τ,并详细分析了时间常数τ的物理意义和对实验结果的解释.在此基础上解释了实验中观察到的结果和新现象.完善了热丝CVD沉积系统,增加了电场控制系统,结果表明,在HWCVD制备硅薄膜的技术中,只存在钨丝的热电子发射,分解基元和气相反应基元为电中性.
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