多晶硅(Poly-Si)薄膜以其较高的载流子迁移率、较低的制备成本和良好的光电性能被广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)和薄膜太阳能电池等各种电子、光伏器件,倍受人们的关注。在多晶硅薄膜的各种制备技术中,金属诱导晶化法以其晶化时间较短,得到的晶粒较大、薄膜均匀性好、工艺简单、成本低等优点,是近年来最经常被采用的一种制备多晶硅薄膜的方法。　　 本文首先综述了本课题的研究背景和意义,然后对多晶硅薄膜的定义、应用、各种制备工艺、以及本论文实验所用来制备多晶硅薄膜的金属Ni诱导晶化法的机制进行介绍。本文在制备高质量多晶硅薄膜及其光电性能研究方面做了些探索性的研究:采用电子束蒸发设备,利用高掺杂的p型体硅作为蒸发源在成本低廉的K8玻璃衬底上沉积30nm的a-Si薄膜,在不开腔体的情况下,直接使用电子束蒸发设备继续在a-Si薄膜上沉积5nm的Ni膜。采用Ni诱导晶化法在氮气氛围下对Ni/a-Si复合薄膜进行退火处理成功制备出p型Poly-Si薄膜。然后,对通过不同温度(300℃、400℃、500℃、600℃)热处理的样品进行Hall测试、Raman光谱测试、AFM测试、紫外-可见光吸收与透射光谱性能测试和分析。结果显示:　　 (1)随着晶化温度的提高(300℃、400℃、500℃、600℃),晶化程度先增强后减弱；那是因为在温度低时没有足够的能量促使a-Si薄膜晶化,而温度过高时,晶核产生速度太快导致密度太大,进而限制了晶粒的生长空间,晶粒的尺寸整体下降便不能晶化成优质的Poly-Si薄膜。　　 (2)优化晶化所需的退火温度,在500℃的时候,30 nm厚p型Poly-Si薄膜的方块电阻可以达到300Ω/□左右;　　 (3)在可见光范围内p型Poly-Si薄膜的反射率较高,透射率超过10％,吸收小于1％,具有这样光电特性的薄膜在OLED器件中作为阳极结合高反射的阴极,容易形成一种微腔效应,达到发光谱窄化,发光强度提高等目的。但是在红光波段,样品透射率已经超过50％,而反射率也逐渐减小,吸收几乎为零,这种p型多晶硅薄膜很适合代替ITO做红光OLED器件的阳极,可以达到了一个节省地壳含量极少的元素--铟的目的。