碳化硅（SiC）陶瓷以其高硬度、高温抗氧化性和优良的抗热震性等优良特性,被广泛应用于机械、化工和军用领域。但是其低的断裂韧性以及对于缺陷的强烈敏感性,严重影响了其广泛应用。利用液相烧结的方式制备SiC,虽然断裂韧性得到了提高,但是伴随有硬度的下降。第二相TiB₂的加入不仅可以形成残余拉应力促进裂纹的偏转,提高断裂韧性,而且可以弥补由于液相烧结SiC韧性提高同时所伴随的硬度降低的问题。目前为止,鲜有利用SPS制备SiC-TiB₂陶瓷的报道。同时,对于SiC-TiB₂的研究很少有关于增强相对材料晶间相、晶粒界面结合状况的研究。因此针对以上空白,本文以YAG为液相助烧剂,通过SPS烧结技术,制备SiC-TiB₂复相陶瓷。并研究烧结温度、TiB₂含量以及SiC原料相配比对SiC-TiB₂复相陶瓷的显微结构,尤其是晶间相和界面结合状态及力学性能的影响。选取1600℃,1700℃,1750℃三个SPS烧结温度,研究烧结温度对材料相成分和微观结构的影响。随着烧结温度的升高,复相陶瓷致密度不断升高,晶间结合强度不断升高。其断裂模式从沿晶断裂模式向穿晶断裂和沿晶断裂混合模式转变。陶瓷材料的抗弯强度和硬度随着烧结温度的升高而升高,在烧结温度为1750℃时达到了最大值,分别为753MPa和23.19GPa。断裂韧性随烧结温度的升高先升高后降低,在烧结温度为1700℃时达到最大值8.84MPa·m^1/2。选取TiB₂含量为0wt.%,5wt.%,15wt.%,25wt.%四种成分的SiC-TiB₂陶瓷,研究TiB₂对材料相成分和微观结构的影响。研究发现TiB₂的加入会促使大量Si元素融入晶间相,使得晶间相的成分发生了变化,晶间相从晶态向非晶态转变。虽然TiB₂的加入会降低材料致密度,但是TiB₂的加入降低了SiC/SiC晶界处的氧含量,促使晶间相非晶化,提高晶间结合强度,进而提升材料断裂表面能,以提高抗弯强度和断裂韧性。随着TiB₂含量的不断增加,SiC-TiB₂陶瓷的抗弯强度、断裂韧性和硬度均呈先增加后减少的变化趋势。在TiB₂含量为15wt.%时,其抗弯强度、断裂韧性和硬度达到最大值,分别为662MPa,8.84MPa·m^1/2,22.36GPa。改变SiC原料相配比,通过对烧结体的热处理,研究SiC原料相配比对材料微观结构和性能的影响。结果发现SPS工艺1700℃烧结后,得到的陶瓷样品的致密度、抗弯强度、断裂韧性随着β-SiC的含量的增加而降低。2000℃热处理后,由于热处理时间比较短,只有部分β-SiC向α-SiC转变,发生晶粒的各向异性长大,生成棒状晶粒。含有大量β-SiC的样品由于热处理后生成棒状晶粒的增强增韧效果,其断裂韧性和抗弯强度都得到了提升。而含有大量α-SiC的样品由于晶粒的过度长大,其断裂韧性和抗弯强度都发生一定程度降低。