随着半导体行业的竞争日益激烈,尤其是在成本压力驱使下,高品质的产品和较低的制造成本成为了公司竞争成功的先决条件。加之市场对半导体器件的性能需求变得多样化,各类半导体器件需要测试的参数变得越来越多,测试时间不断拉长;在当前测试方法下的测试时间成为了制约产品成本降低的一个关键因素;同时测试项目也从单纯的无危险参数(正向电压、正向直流电流、最大流通电流等)增加到潜在危险参数(反向击穿检测、大饱和电流检测)。如何将这些没有规律的潜在危险参数加入到测试程序中。使其既能适应大规模生产又可以减少因为测试振荡带来的合格率损失也是我们当前面临的巨大挑战。本论文针对上述问题,通过对目前晶体管的测试原理进行分析:针对目前困扰我们的测试准确性的一些项目做出优化。针对测试振荡以及产品潜在危险检测设计出更合理的测试方法。同时通过缩短测试参数时间以及删除不必要测试内容,在不影响产品测试质量的情况下来降低我们的测试成本,从而提升器件在市场中的竞争力。主要内容为:1.针对晶体管目前测试方法无法兼顾潜在危险参数的问题。设计出一种晶体管的后端检测方法。该方法将测试分为两个测试步骤,检测范围大。对产品的反向击穿、大电流参数进行测试,使得测试后的产品性能更优。2.研究出一种消除晶体管振荡的测试方法,在晶体管测试发射极和集电极之间的击穿电压时,通过在集电极增加电阻,减少了内阻等引入的干扰,有效的提高了晶体管击穿测试的准确性和稳定性。3.研究联动QT-6000测试机对半导体器件电学参数的测试原理,以及整个测试流程中各个步骤所需要的理论时间,通过测试理论时间与分选机配合衔接方式来寻找优化空间,将测试时间优化到最优的测试时间。