基于溶胶-凝胶法制备硅基稀土Tb离子发光器件的研究

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硅材料加工的工艺水平不断提高,硅基微纳米器件因此得到快速发展。传统微纳米器件大多依靠电互连进行信号传输,随着器件集成度不断提高,内在功耗大幅增加,内部线路之间的干扰也越发严重。将功耗低、抗干扰强的光互连技术引入到硅基微纳米器件中已迫在眉睫,因此高效的硅基光源显然已成为硅基微纳米器件实现光互连的一个重要技术突破口。由于体硅材料是一种间接半导体材料,极难发光,所以本文引入稀土Tb3+离子作为发光中心。稀土Tb3+离子是一种稳定的绿色光发光中心,有望在将来应用于海洋硅基微纳光学传感器中。但稀土Tb3+离子的f-f跃迁属于磁偶极跃迁,整体发光能力较弱,使用常规光源进行激发通常只会产生微弱的绿光。为了有效提高稀土Tb3+离子的荧光发射效率,本文引入Sn O2量子点和稀土Ce3+离子作为稀土Tb3+离子的敏化剂,通过有效的共振能量传递来提高稀土Tb3+离子的荧光发射强度。本文主要的内容和结果如下:利用基于旋涂技术的溶胶-凝胶法制备4%的Tb3+离子、不同尺寸的Sn O2量子点以及不同掺杂量的Ce3+离子共同掺杂的硅基Si O2薄膜样本。通过光致发光谱和激发谱分析敏化剂的敏化机理、评估敏化效果。通过X射线衍射谱对Sn O2量子点的制备以及Ce3+离子氧化进行评估分析。通过荧光衰减曲线计算敏化剂对Tb3+离子的敏化效率。研究结果显示在1000℃退火氛围下制备的硅基Si O2薄膜样本中的Sn O2量子点和Ce3+离子均对Tb3+离子起到了有效的敏化作用。平均尺寸为3.7nm的Sn O2量子点和4%的Tb3+离子共掺硅基Si O2薄膜时,Tb3+离子在545nm处的荧光强度提高了6倍,此时Sn O2量子点到Tb3+离子的能量转移效率为40.74%。掺杂量为2%的Ce3+离子和4%的Tb3+离子共掺硅基Si O2薄膜时,Tb3+离子在545nm处的荧光强度有较小增强,此时Ce3+离子到Tb3+离子的能量转移效率为35.87%。最后本文发现平均尺寸为3.7nm的Sn O2量子点和掺杂量为2%的Ce3+离子共同敏化4%的Tb3+离子时,Tb3+离子在545nm处的荧光强度提高了9倍,这表明在Si O2薄膜样本中适当尺寸大小的Sn O2量子点和适当比例的Ce3+离子共同敏化稀土Tb3+离子的效果要优于Sn O2量子点或Ce3+离子单独敏化稀土Tb3+离子的效果。
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