本文在总结吸收现有研究成果的基础上，选择几种比较重要的半导体为研究对象。初步探讨了氧化铝(AAO)模板纳米通道内的自组装、限域电沉积以及电沉积金属和后续氧化相结合等方法合成准一维半导体纳米线阵列的工艺和生长机理。在成功合成试样的基础上，研究了产物的物性。 　　本文采用无电沉积方法合成了由纳米颗粒自组装形成的硫化镉多孔纳米线有序阵列体系，为合成由纳米颗粒组成的半导体多孔纳米线开辟了一条新途径。进一步研究表明，该纳米线阵列体系的光吸收边有明显的蓝移，在光学器件上有潜在应用前景。 　　本文采用直流电沉积技术，在AAO模板的纳米通道内成功地合成了具有化学计量比的锑化铟纳米线。进一步研究表明，所制备的锑化铟纳米线为多晶立方结构，纳米线的直径大约50纳米，小于锑化铟的玻尔半径，因此显示出较强的量子限域效应，带隙增加到0.196eV左右。所获得的锑化铟纳米线在光学器件上有潜在的应用前景。 　　本文对电沉积法合成的金属锑纳米线在空气中的氧化行为进行了研究，在此基础上采用电沉积与后续氧化相结合的方法，成功地合成了α-Sb2O4纳米线，对金属氧化物纳米线阵列的合成进行了有意义的探索。