基于CMOS和BiCMOS工艺的低噪声放大器与混频器研究

来源 :电子科技大学 | 被引量 : 2次 | 上传用户:g56410029uoyuhao1995
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近年,随着无线通信设备的大量普及,射频收发机作为其核心部分,正不断的朝着宽带、低成本、高集成度以及小型化方向发展。基于CMOS工艺的60GHz短距离无线通信技术具有超宽带、超高速等优点,对消费者具有相当大的吸引力。同时,为降低无线通信设备的成本,工程师们正利用BiCMOS工艺实现射频收发机单片集成。但不论是高速还是低成本,低噪声放大器和混频器作为射频接收机重要的两个部件,其性能对整个接收机都具有较大的影响。本文作者设计了60GHzCMOS工艺低噪声放大器、2.4GHz BiCMOS可重构低噪声放大器以及2.4GHz差分低噪声放大器与混频器。主要研究内容如下:1、设计完成了一款基于IBM90nm CMOS工艺的60GHz低噪声放大器芯片,其工作频带为58-64GHz,增益约为18dB、噪声系数大约为4.8dB、电流小于24mA;2、设计完成了一款基于IBM0.35um SiGe BiCMOS工艺的2.4GHz单端可重构低噪声放大器芯片,其具有高、低增益以及旁路三种工作模式。当工作在高增益模式时,其增益大于18dB、噪声系数低于2dB、电流小于3mA;处于低增益模式时,其增益大于10dB、噪声系数低于3dB、电流小于1.5mA;而工作在旁路模式时,其相当于一个开关,插入损耗低于3dB、噪声系数低于3dB。同时,该芯片还具有静电放电保护功能;3、设计完成了一款基于IBM0.35um SiGe BiCMOS工艺的2.4GHz全差分低噪声放大器和混频器,其转换增益大于27dB、噪声系数低于3.5dB、输入三阶交调点大于-13dBm、电流约为7mA。本文完成了以上电路设计,均已达到预期设计指标,并具有一定的研究和参考价值。
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