有机发光晶体管（OLET）是将有机薄膜晶体管（OTFT）与有机发光二极管（OLED）集成在一起的器件,可利用晶体管来控制其发光强度。它具有高电流密度、控制能力强以及制作简单等优点。垂直构型有机发光晶体管（VOLET）采用垂直结构能缩短沟道、降低工作电压,并进而提高发光效率,具有优越的性能。本文制备并研究了VOLET器件的光电特性,通过加入空穴传输材料、改变介电层及源极厚度以及对源极进行臭氧处理等,分析了这些因素对以Alq₃为发光层的VOLET器件性能的重要影响。具体来说,主要包括以下几个方面:首先,我们制作并表征了单层Alq₃薄膜为发光层的VOLET器件ITO/Alq₃（60nm）/Al（25nm）/LiF（90nm）/Al。发现栅压控制作用很弱的原因是器件中空穴注入数量远少于电子,源漏电极两端载流子注入不平衡。通过在ITO与Alq₃之间加入空穴传输材料Pentacene薄膜制备的VOLET器件ITO/Pentacene（40nm）/Alq₃（60nm）/Al（22nm）/LiF（120nm）/Al的发光效率最高,原因是此器件中载流子的注入相对较平衡。其次,我们研究了LiF介电层厚度对器件性能的影响。发现150 nm厚的LiF介电层的器件具有最佳工作性能,器件表现为n型增强型,结果表明适当厚度的介电层可以兼顾器件的低漏电流与电容单元的高电容性。另外,我们发现在用有机半导体材料C₆₀为介电层及电子传输层制作的VOLET器件ITO/Pentacene（40nm）/Alq₃（60nm）/C₆₀（30hm）/Al（25nm）/C₆₀（20nm）/Al中,由于具有较高HOMO能级的C₆₀薄膜同时起到了电子传输层及空穴阻挡层的作用,从栅极注入的电子对源漏电流及发光亮度都有贡献。最后,通过改变中间电极厚度及对其表面进行臭氧处理,我们研究了中间电极对VOLET性能的影响。中间电极厚度为15 nm（其平均粗糙度约为9 nm）的器件的“开/关”电流比和“开/关”亮度比分别达到35与46。对该器件的中间电极作10 min以上的臭氧处理能显著降低器件的漏电流并提高介电层的电容特性,器件“开/关”电流比与“开/关”亮度比分别提高到60与130。这说明中间Al电极是VOLET的核心层,它的厚度、表面形貌及氧化程度决定了载流子的注入效率及栅压的控制能力。