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透明氧化物材料由于其在可见光范围内的高透光率和电学方面的独特性能，在现在以至于今后的光电子器件中都具有重要作用。近二十年来，非晶铟锌氧化物（a-IZO），非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）等材料由于具有更有竞争优势的电学性能、可实现低温制备、表面平整等优势，引起了广大学者的研究。而相对于传统真空制备薄膜方法，溶胶凝胶法由于其成本低，易操作，化学成分可调等优点，是一种非常具有前景的制备方法。薄膜晶体管（TFT）作为有源阵列驱动显示器件的核心开关元件，针对于柔性显示器，如何高效的在低温条件下制备高性能TFT器件是目前研究的热点。本文采用溶胶凝胶法制备氧化物薄膜，包括（镓铟氧化物（GZO）、IZO以及a-IGZO），采用旋凃法，以IZO与a-IGZO为有源层，分别制备IZO TFT以及IGZO TFT，并研究其性能。本论文的主要工作如下：1.通过制备不同粘度GZO溶胶，研究不同粘度溶胶制备的GZO薄膜性能。研究结果表明，溶胶的粘度对薄膜性能有着显著的影响，薄膜的粘度与薄膜的厚度呈线性关系。粘度超过3.0cps时，薄膜性能恶化，表面粗糙度增大，导致迁移率降低，电阻率升高。2．采用溶胶凝胶法制备了不同In含量的IZO薄膜，研究了薄膜的形成机理。制备的IZO在可见光区域内均具有较高的透过率（90%），当In含量高于60%时，IZO薄膜出现开始结晶。同时研究了Ga掺杂对IZO薄膜的影响，掺Ga的IZO（IGZO）薄膜表面平整，不同Ga含量的薄膜粗糙度均小于0.4nm。在可见光区域内的薄膜透过率均>80%。3.采用溶胶凝胶法制备了IZO TFT以及IGZO TFT器件。研究了In含量对IZO TFT器件性能的影响。当In含量为60%时，可以得到较好的IZO器件性能：饱和迁移率为0.13cmV-1s-1，开关比为6×106，阈值电压为3V。结果表明，随着In元素的增加，IZO TFT器件的饱和迁移率升高。但当In元素含量过高（75%）时，IZO TFT的饱和迁移率升高但器件开关比降低。采用优化的In:Zn比（3:2），研究了Ga含量对a-IGZO TFT器件性能的影响。同时，在低退火温度（300°C）下，制备了a-IGZO TFT，其饱和迁移率为0.03cmV-1s-1，开关比为5.5×104，阈值电压为1.9V。Ga元素的掺杂尽管恶化了TFT器件的饱和迁移率，但提高了器件开关比。最佳的的Ga掺杂量为10.7%。