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二维碳化硅(SiC)具有的优异光电性及较宽的禁带,使其在低维纳米材料的设计上具有独特的优越性,是一个较好的人工可操控自旋二维非磁性拓展基底。二维SiC的局域自旋调控,可实现原子量级上对二维SiC的磁性和局域自旋的人工调控。对于二维SiC局域自旋的调控,大部分集中在3d过渡金属掺杂诱导其局域自旋,但是对于4d过渡金属掺杂的局域自旋调控较少,本文采用掺杂Mo(N)原子的方式,对二维SiC进行磁性调控,分析其局域自旋调控机理,丰富了这一掺杂体系Mo(N)共掺条件下的理论数据。本征二维SiC的非等价位点,为人工局域自旋调控提供了诸多选择方案。本文通过二维SiC不同选位掺杂Mo原子,对二维SiC材料的磁性进行局域自旋的掺杂调控。对于Mo原子在二维SiC不同位点的选位掺杂,研究发现在其Si位、间隙位及C位,体系均呈现出自旋极化现象,且都由半导体转变为半金属体系,数据表明,体系的磁性和局域自旋的改变均主要来源于掺杂Mo的诱导。进一步讲,磁性Mo选位掺杂二维SiC表现出不同的自旋机制,其中Mo替代掺杂Si位时,体系的磁矩为2.000μB,自旋向上的电子能带穿越费米能级,在费米能级上下形成小极化子以及内外两类外尔点。Mo替代掺杂间隙位时,体系的磁矩变为2.003μB,同样的仍是自旋向上的电子穿越费米能级,但是小极化子消失,表现出一定的离域性。Mo替代掺杂C位时,体系的磁矩变为1.997μB,自旋向下的电子穿越费米面,表现出下自旋电子导电的特征。三种磁性二维SiC的费米面,显示出不同的电子运动状态,且通过自旋纹理的计算,发现磁性在空间中表现出各向异性。Mo掺杂磁性二维SiC,体系均呈现半金属性,因此,考虑采用N掺杂调控其带隙,使其转变为磁性半导体。自旋调控过程中,Mo替代Si原子的磁性二维SiC,费米面上的上自旋电子具有优异的自旋调控性能。在Mo替代Si原子的磁性材料上,通过N的掺入调控基底材料的带隙。计算结果表明,N在Mo替代掺杂Si的磁性二维SiC的Mo附近位置选位掺杂,可以将半金属性转变为半导体,使其具有一定的禁带宽度。对于掺入N的自旋调控,通过N的不同选位相应的微调磁性二维SiC的局域自旋状态。通过分析最高占据轨道与最低非占据轨道的态密度,发现不同体系的传导机制存在着相互之间各向异性。本论文的研究成果对于二维电子器件的人工设计提供了丰富的理论数据和设计方案。