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等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,即PECVD)技术被广泛应用于LED生产、微机械加工业、太阳能减反膜制备等方面。而由于其反应温度低、成膜均匀性好,并且可以用来制备大面积、致密度高、激光损伤阈值高的薄膜材料,故近年也越来越多的应用在光学薄膜制备方面。本文采用PECVD技术制备出的高折射率薄膜材料氮化硅(SiNx)、高激光损伤阈值薄膜材料氧化硅(SiOx)以及低折射率薄膜材料含氟氧化硅(SiOxFy)作为激光高反膜制备需要的薄膜材料,研究了SiNx材料、SiOx材料和SiOxFy材料的最佳制备工艺,沉积速率、工艺重复性及抗激光损伤阈值特性,并制备了1064nnm处高反射膜。主要结论如下：1)制备SiNx薄膜最佳参数为：SiHH4和N2流量各为72sccm和70sccm,射频功率为160W,反应压强为70Pa,反应温度为300-C,得到的SiNx材料折射率为1.95,沉积速率为9.3nm/min,激光损伤阈值为24.1 J/cm2,工艺重复性结果表明折射率控制误差在1%以内,厚度控制误差在7%以内；2)制备SiOx薄膜最佳参数为：SiHH4和N20,流量分别为60sccm、40sccm,工作压强控制在20Pa,射频功率200W,反应温度为300-C,得到的SiOx材料折射率为1.45,沉积速率为14nm/min,激光损伤阈值高于39.8J/cm2,工艺重复性结果表明折射率控制误差在1.5%以内,厚度控制误差在8%以内；3)制备SiOxFy薄膜最佳参数为：SiH4、N2O和C2F6气体流量分别为60sccm、40sccm和6sccm,工作压强控制在20Pa,射频功率200W,反应温度为300-C,得到的SiOxFy折射率为1.42,沉积速率15min以后稳定在10nm/min,对应的激光损伤阂值为26.4 J/cm2,工艺重复性结果表明折射率控制误差在1.5%以内,厚度控制误差在6%以内；4)采用PECVD技术制备的SiNx和SiOxFy制备1064nm处高反射膜,膜系结构为G|(HL)11H|A,并测试其透过率和反射率曲线,测试结果表明,在1064nm处透过率为0.08%,绝对反射率为99.11%,测得其抗激光损伤阈值为11.6 J/cm2。