集成电路的快速发展和广泛应用大大的改变了人们的生活,尤其是可穿戴式设备使人们的生活变得快捷而丰富。人们的需求也不断地增长,促进了集成电路的发展,为了满足和丰富人们的生活,集成电路系统也变得越来越庞大和复杂,需要更好的稳定性和精确度。基准电压源作为集成电路系统中一个提供参考电压的重要模块,对电路的其它模块有着举足轻重的影响,必须具有高精度和稳定度,是模拟电路中广泛应用的一个关键的基本模块,所以对高性能的基准电压源的研究和设计十分必要。在几种基本的基准电压源中,带隙基准源由于其和CMOS工艺的兼容性得到了最广泛的应用。本文的主要工作就是设计一种低温度系数的带隙基准电压源并进行仿真。本文首先介绍了带隙基准电压源的国内外发展现状以及趋势,阐述了研究低温带隙基准源的重要意义,然后分析了带隙基准电压源基本原理及基本结构,介绍了带隙基准源的相关性能指标及其意义,接着提出了针对温度系数这一指标的影响因素和改进措施,设计了包含共源放大器、偏置电路、四管启动电路和核心电路的带隙基准电压源,其中核心电路中加大了PTAT电流产生电路中晶体管电流比值,减小了运放失调造成的影响,以此实现低温度系数的带隙基准源的设计。同时还对用以进行集成电路设计的EDA工具Cadence进行了分析。最后还阐述了集成电路版图设计的基本方法和技巧。本文采用CSMC 0.5μm双层多晶硅CMOS工艺,使用Cadence软件进行仿真,仿真结果显示温度系数在-40℃-125℃温度范围内为10.8ppm/°C,零温度系数点为27℃。电源电压工作范围为1.6V-2.6V,直流电源电压抑制为63.02d B,工作电流为14.17μA,功耗为0.028m W。达到设计要求,并完成了版图设计。