电子设备中普遍存在着结构位移场、温度场(包括流场)和电磁场之间的相互作用,为从整体上提高设备的各项性能,须研究电子设备在三场作用下的耦合理论及分析方法。本文针对电子设备的这一特点,重点研究了结构位移场对电磁场及温度场的影响问题,以及利用商用软件对电子设备进行三场耦合分析的相关技术。主要工作如下:1.以结构的表面作为位移场、电磁场及流场的共同边界,并以这个边界作为位移场、电磁场和流场的耦合分析基础。数值分析时,提取结构的表面网格,重新构造电磁场和流场的边界模型,使得电磁分析和热分析时能够准确地反映出位移场的变化。解决了传递位移场耦合信息时网格提取、网格重组、网格交叠及网格精度匹配等技术难题。2.给出了位移场影响电磁场及热场的算例,表明位移场对其它两场存在着一定的耦合影响,结构因振动而产生的新缝隙会引起泄漏场强(电磁)大幅增加,且缝隙长度是影响泄漏的主要因素,宽度的影响则可以忽略。3.建立了包含三场耦合分析的系统优化软件流程图,并编写了相关接口程序。在对电子设备进行设计和分析时,能够通过系统优化的思想在整体上提高电子设备的综合性能。