集成电路的快速发展促进了光刻机的更新换代,极紫外光刻技术在下一代光刻技术的竞争中逐渐脱引而出。污染隔离与控制是EUV技术的核心,本文围绕动态气体锁污染抑制性能展开研究,研究了动态气体锁污染抑制的一般规律,验证了动态气体锁污染控制的可行性。本文主要工作与结论如下:本文通过分析EUV光刻机对污染的要求,提取出了实验平台的污染控制需求,并完成了原理方案设计。采用模块化设计方法,将实验平台划分为污染及曝光模块、硅片传输模块和大气模块,完成了结构设计。在实验平台设计中,采用两种抽真空方式,实现真空度要求,提高了结构紧凑性。根据仿真结果,优化设计了动态气体锁,提高了其污染抑制效果。基于分子假设,采用蒙特卡洛方法,研究了动态气体锁污染抑制特性。分析了氢气、氦气、氩气和氮气这四种清洁气体对污染气体的抑制效果,氩气为最优清洁气体,清洁气体流量与动态气体锁污染抑制率满足对数关系,并随着流量的增加污染抑制率也随之增加,但抑制率增长趋势减缓,清洁气体注入位置靠近动态气体锁下出口能有效提高动态气体锁污染抑制率,也可有效提高腔室内部流场的稳定性。通过仿真分析,验证了动态气体锁真空污染控制的可行性,给出动态气体锁具体设计参数,为结构设计提供理论依据。本文所设计的EUV光刻实验平台设计,可基于此进行EUV污染抑制等多种相关实验,达到了设计要求。该实验平台能够为EUV提供良好的工作环境,填补了国内EUV装备的设计及研究空白,可为其他EUV设备提供设计及研究基础。