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本论文就钛酸锶钡(BST)铁电材料陶瓷制备及其铁电,介电性能,薄膜的PLD制备工艺方面进行了一些基础研究。本论文主要内容有：以BaCO3, SrCO3, TiO2为原料,采用传统固相烧结法制备了BaxSn1-xTiO3(x=0.4,0.5,0.65,0.8)系列陶瓷,利用XRD对其进行了表征,经分析可知所制备样品为完全的钙钛矿相,单一的固溶体结构。利用铁电分析仪,阻抗分析仪分别测试了样品的铁电性能和介电性能。在室温时,x≥0.65时BaxSr1-xTiO3陶瓷是铁电相；随着Ba/Sr比例的增加,BaxSr1-xTiO3的矫顽电场和剩余极化强度也增加；BaxSr1-xTiO3陶瓷材料的介电常数随频率变化是呈下降的趋势的；随着x值的增大,BaxSr1-xTiO3陶瓷的介电损耗数值也增加。在低频时各样品的介电损耗值很大,随着频率的增加,各样品的介电损耗值逐渐减小,在频率大于100KHz后,BaxSr1-xTiO3系列陶瓷的介电损耗在0≤tanδ≤0.020。采用传统固相反应法制备了掺杂Co的Ba0.5Sr0.5Ti1-xCoxO3(x=0,0.002,0.004, 0.006,0.008,0.01)系列陶瓷作为脉冲激光沉积(PLD)钛酸锶钡(BST)薄膜的靶材,利用X射线衍射(XRD)分析,靶材基本形成了单相的钙钛矿结构,满足制备薄膜的要求。首先在LaA103(LAO)衬底上制备了呈c取向的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,通过改变衬底温度,生长氧压,脉冲激光能量等PLD系统参数并结合退火工艺,探索出LaAlO3(LAO)衬底上Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜生长的最佳条件为：衬底温度760℃,生长氧压5Pa,脉冲激光能量350mj,不退火。利用最佳条件在LaAlO3(LAO)衬底上制备了掺杂Co的Ba0.5Sr0.5Ti1-xCoxO3 (x=0,0.002,0.004, 0.006,0.008,0.01)薄膜,结果表明x=0.01时薄膜结晶质量最好。利用在LaAlO3衬底上制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜的最佳条件在LaAlO3(LAO)、SrTiO3 (STO)和LSAT单晶衬底上制备出Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,在LSAT,STO衬底上制备的薄膜均呈c取向,但产生一些杂相,虽然LAO衬底和薄膜的失配度最大,达到了-5.99%(负号表示薄膜在面内受到压应力),但是在LAO衬底上生长的BST薄膜(002)衍射峰单0摇摆曲线半高宽最小,达到0.2409,结晶质量最好；LSAT衬底与薄膜晶格失配度最小,为-3.26%,但LSAT衬底上生长的薄膜(002)衍射峰单θ摇摆曲线半高宽并不是最小,即结晶质量并不是最好的,STO衬底上生长的薄膜(002)衍射峰单0摇摆曲线半高宽达到0.5199,结晶质量最差。因此在LAO衬底制备BST薄膜最佳条件并不一定适合其他衬底,衬底与晶格的失配度并不是影响薄膜生长的最主要因素,通过优化PLD工艺参数,在一定程度上可以消除失配度对薄膜生长造成的不利影响。