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随着通信技术的高速发展，移动通信经历了从模拟到数字、从2G到4G的演进。中国主导制定的TD-LTE-Advanced标准已经成为4G国际标准之一，并且在2013年12月4日，中国工信部正式向三大移动通信运营商发放了4G牌照，正式宣告了中国4G时代的到来。 低通滤波器和上混频器是射频发射机的核心电路。本课题采用TSMC0.13-μm RFCMOS工艺设计了用于TD-LTE-Advanced射频发射前端的低通滤波器和上变频器。 本课题首先对滤波器的分类、逼近方法进行了详细的分析，并且详细比较了各种不同的综合方法。本文中低通滤波器的主体电路采用基于五阶切比雪夫低通原型的有源Gm-C结构，电路中的核心跨导单元采用折叠式共源共栅OTA结构。在1.2V电源电压下，带宽达到20MHz，通带纹波小于0.4dB，功耗小于20mW。 本课题分析了上混频器的基本原理和结构，针对混频器的噪声、线性度等性能以及各个电路单元的设计进行了详细的分析。本课题中混频器核心电路采用开关折叠结构混频器，它具有较高变频增益，良好的线性度和噪声系数，并且能很好的工作在1.2V电源电压下。本课题采用了源简并技术来提高混频器的线性度后仿真表明本次设计的上混频器变频增益大于7dB，输入三阶交调点大于12.5dBm，噪声系数小于16dB，功耗小于12mW。