【摘 要】
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单层MoS_2结构稳定且具有独特的电学、力学和光学特性,在场效应晶体管、纳米电子器件、发光二极管及太阳能电池等方面拥有广阔的应用前景。除此之外,由于单层MoS_2有着像碳纳米管一样较快的载流子迁移速率和较大的比表面积,还可以将其作为良好的光电催化剂。单层MoS_2的催化活性中心与未饱和的S边缘位点有关,而与完整的MoS_2平面位点无关。因此,有必要破坏其完整平面的晶格结构,来增加其活性位点数,从而
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单层MoS_2结构稳定且具有独特的电学、力学和光学特性,在场效应晶体管、纳米电子器件、发光二极管及太阳能电池等方面拥有广阔的应用前景。除此之外,由于单层MoS_2有着像碳纳米管一样较快的载流子迁移速率和较大的比表面积,还可以将其作为良好的光电催化剂。单层MoS_2的催化活性中心与未饱和的S边缘位点有关,而与完整的MoS_2平面位点无关。因此,有必要破坏其完整平面的晶格结构,来增加其活性位点数,从而提高整体的光催化能力。晶体中最为常见的缺陷为点缺陷,主要形式为空位和替位掺杂。关于单层MoS_2在光催化
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