Ti3SiC2是一种新型陶瓷材料，它和石墨一样具有层状结构，拥有良好的自润滑性。像金属一样是优良的热、电导体。与陶瓷相比相对较“软”，易于加工。高温下仍有极好的抗热震性和抗氧化性。Ti3SiC2作为高温结构材料及电极材料等有着广泛的应用潜力。　　 本文对Ti3SiC2的反应机理进行了研究，在此基础上采用无压烧结和放电等离子烧结制备出高纯度Ti3SiC2材料，并对Tr/（Ti3SiC2-SiC）层状材料的制备进行了探索。　　 示差扫描量热分析和X射线衍射分析结果表明：采用摩尔比为3 Ti：Si：2C作为配比无压烧结制备Ti3SiC2过程中，反应主要集中在800-1200℃和1400-1500℃。Ti5Si3Cy和TiCx在800-1200℃大量生成。Ti3SiC2主要在1400-1500℃由Ti5Si3Cy、TiCx和C反应生成。　　 以摩尔比为3Ti/1．1 Si/2C和3Ti/1．2Si/2C为原始成分，采用无压烧结能获得高纯Ti3SiC2，其杂质相均为微量SiC和TiSi2。而以5Ti/2Si/3C为原始成分烧结后产物中杂质相主要是TiSi2，经氢氟酸酸洗后制备出纯净的Ti3SiC2粉末。　　 增加原始配比中Si的含量对1400℃以下反应过程影响不明显，但在1400℃以上时对反应影响显著。DSC结果表明以3Ti/1Si/2C和3Ti/1．1Si/2C为配比的样品在1500℃以下均没有出现Ti3SiC2的生成峰，而以3T/1．2Si/2C，3Ti/1．35Si/2C和3Ti/1．5Si/2C以及0．42Ti/0．23Si/0．35C为配比的样品Ti3SiC2生成峰峰值温度分别为1473℃、1464℃、1439℃和1405℃。　　 原始成分中加入过量的Si能避免产生常见杂质相TiC，但TiSi2和SiC在烧结产物中的含量随着Si在原始成分中含量增加而增加。适当增加Si的含量能提高烧结产物的致密度。　　 采用（3Ti：1．2Si：2C）+2 wt．％ Al和3Ti：1．2Si：2C为原始成分，1300℃放电等离子烧结（SPS）15分钟可制备出较致密的Ti3SiC2材料。未添加铝粉的样品中存在大量TiC和少量Ti5Si3杂质相，此外还存在较多未完全反应的石墨，而加铝粉的样品中只含有微量的SiC杂质相。　　 SPS制备0．8Ti3SiC2-0．2SiC复合材料时，添加铝粉和未添加铝粉的样品中均没有TiC出现，均存在未完全反应的石墨，未添加铝粉样品中有少量TiSi2出现而添加铝粉样品中并没有这一物相存在。制备0．5 Ti3SiC2-0．5SiC复合材料时，加铝和未加铝的样品中主相均为Ti3SiC2，且均含有SiC、TiSi2和大量未完全反应的石墨。加铝的样品中SiC含量明显高于未加铝的样品，其含量也更接近理论设计成分，且TiSi2含量显著低于未加铝的样品。　　 以Ti粉、SiC粉和石墨粉为原料，球磨后加入0．5 wt．％粘结剂，165℃、200 MPa温压压制成形，500℃保温1h使粘结剂挥发，在氩气保护条件下1500℃无压烧结2h制备出Ti-SiC基层状材料。原始粉末球磨5h后能够检测到少量Ti3SiC2，延长球磨时间至10 h和15 h并没有其他新相出现，Ti3SiC2相的含量也没有明显增多，只是随着球磨时间的延长，晶粒进一步细化。烧结试样中SiC层复合材料中主相是SiC，有较多的TiC和少量的Ti3SiC2。层状材料中SiC基复合材料层与Ti层通过约15μm厚的反应层实现了冶金连接，反应层主相是TiC，此外还有少量Ti3SiC2及Ti-Si共晶相。　　 采用SPS制备出Ti/Ti3SiC2/（0．9Ti3SiC2+0．1SiC）/（0．8Ti3SiC2+0．2SiC）层状材料。TiC存在设计成分为Ti3SiC2、0．9Ti3SiC2+0．1 SiC和0．8Ti3SiC2+0．2SiC层中，但含量逐渐减少。Ti5Si3相同样存在这三层中，其含量基本保持稳定。SiC开始少量出现在0．9Ti3SiC2+0．1SiC层中，在0．8Ti3SiC2+0．2SiC层中其含量显著增加。TiSi2出现在0．8Ti3SiC2+0．2SiC层中。　　 Ti/Ti3SiC2的界面在800℃和1000℃热处理时，界面反应产物均为TiCx。随着热处理时间的延长并没有产生新相，而且反应层厚度的增加趋势也逐渐变缓。