ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体(室温下，Eg～3.36eV)，之所以在学术界有如此火爆的研究态势皆因ZnO有无与伦比的光电应用前景。ZnO的激子结合能为60 meV，远大于室温热电离能(26meV)，因而ZnO内部的激子可以在室温下稳定存在，这一点对于研发低阈值激光器至关重要。然而在ZnO基发光器件实现大规模应用之前，必须要对ZnO的发光机理有一个比较清楚的认识。因此，本论文的工作主要是研究这种多晶ZnO薄膜的光学性质，特别是低温紫外发光性质。 第一章简要介绍了ZnO材料的各种性质、制备方法、研究现状等，详细介绍了ZnO的光致发光性质。ZnO单晶的光致发光谱主要分两个部分：激子跃迁在紫外部分的发光；源于缺陷能级的可见光。 在第二章讨论了用一种简单的化学气相淀积装置在p-Si的(100)上制备出高度C轴择优取向的ZnO颗粒膜。所制备的薄膜在室温下具有很高的光致发光亮度，Zn0薄膜其可见光的发光强度已远远超出化学气相输运制备的ZnO体单晶，紫外发光峰的发光强度要比起绿光峰强度弱了很多，但是已可以与化学气相输运制备的ZnO体单晶相比拟。为了探究其发光机理，我们研究其低温光致发光以及阴极射线图像和CL谱，发现所制备颗粒膜的紫外以及可见光的发光可能与聚集在ZnO{1010}面的本征缺陷有关。 第三章总结整个论文工作得到的结论，提出今后继续研究这一工作的方向。